SOI基板的评估方法

摘要

本发明系一种SOI基板的评估方法，包含：预先于测定用SOI基板形成装置，求取测定用SOI基板的介面状态密度与施加高周波时漏功率的关系，或是将介面状态密度换算为电阻而求取换算的电阻与该漏功率的关系；测定评估对象SOI基板的介面状态密度而求取介面状态密度，或是求取基于介面状态密度所换算得出的电阻；以及藉由测定评估对象SOI基板的介面状态密度，基于预先求取介面状态密度与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率，或是藉由测定评估对象SOI基板的介面状态密度所换算的电阻，基于预先求取电阻与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率。如此，不实际测定高周波特性，藉由尽可能简单的方法评估适合高周波的基板。