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发明名称
发光二极体元件及覆晶式发光二极体封装元件;LIGHT EMITTING DIODE AND FLIP-CHIP LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE
摘要
本发明系有关于一种发光二极体元件及覆晶式发光二极体封装元件,本发明提供一种发光二极体元件,发光二极体元件倒覆于一封装基板并与其电性连接,而形成覆晶式发光二极体封装元件。发光二极体元件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一欧姆接触层及一平坦缓冲层,欧姆接触层提升第二型掺杂层与反射层间之欧姆接触特性,而且不影响发光二极体元件及覆晶式发光二极体封装元件之发光效率。平坦缓冲层设置于欧姆接触层与反射层之间,可平整欧姆接触层,使反射层可平整地附着于平坦缓冲层,可使反射层达到镜面反射之效果,并减少反射光源产生散射的现象。
申请公布号
TW201543719
申请公布日期
2015.11.16
申请号
TW104125818
申请日期
2011.11.29
申请人
新世纪光电股份有限公司 GENESIS PHOTONICS INC.
发明人
罗玉云 LO, YU YUN;吴志凌 WU, CHIH LING;黄逸儒 HUANG, YI RU;林子阳 LIN, TZU YANG;李允立 LI, YUN LI
分类号
H01L33/36(2010.01)
主分类号
H01L33/36(2010.01)
代理机构
代理人
叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址
台南市善化区大利三路5号 TW
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