Organischer Feldeffekt-Transistor

摘要

Organischer Feldeffekt-Transistor, insbesondere organischer Dünnschicht-Feldeffekt-Transistor, mit:–einer Gate-Elektrode (6), einer Drain-Elektrode (4) und einer Source-Elektrode (3),–einer dielektrischen Schicht (5), die in Kontakt mit der Gate-Elektrode (6) gebildet ist,–einer aktiven Schicht (2) aus organischem Material, die in Kontakt mit der Drain-Elektrode (4) sowie der Source-Elektrode (3) ist und die elektrisch undotiert ausgeführt ist,–einer Dotierungsmaterial-Schicht (1; 11), die ein Dotierungsmaterial enthält, welches für das organische Material der aktiven Schicht (2) ein elektrischer Dotand ist, und–einem Grenzflächenbereich, in welchem ein flächiger Kontakt zwischen der aktiven Schicht (2) und der Dotierungsmaterial-Schicht (1; 11) gebildet ist, wobei eine Mobilität für gleichartige elektrische Ladungsträger, nämlich Elektronen oder Löcher, in der Dotierungsmaterial-Schicht (1; 11) höchstens halb so groß wie in der aktiven Schicht (2) ist.