发明名称 ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK, PHOTOMASK, PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 본 발명의 목적은 극미세한 패턴(예를 들면, 전자선 노광에 의한 패턴)을 높은 진공 PED 안정성, 높은 해상력, 패턴 형상의 직사각형성이 높고, 브릿지 및 붕괴가 생기기 어렵고, 또한 라인 위드스 러프니스(LWR)가 작은 상태를 동시에 충족해서 형성할 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. 특정 구조의 반복 단위를 갖는 수지(A), 및 특정 구조의 이온성 화합물(B)을 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 의해서 상기 목적이 달성되는 것을 발견했다.
申请公布号 KR20150126632(A) 申请公布日期 2015.11.12
申请号 KR20157026721 申请日期 2014.02.27
申请人 FUJIFILM CORPORATION 发明人 YAMAGUCHI SHUHEI;TSUCHIHASHI TORU;TSUCHIMURA TOMOTAKA
分类号 G03F7/039;G03F1/20;G03F1/22;G03F1/48;G03F1/62;G03F7/004 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
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