| 发明名称 | 高阶芯片失效分析物理去层分析方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法，包括：提供芯片及芯片上待进行物理去层的关注区域，芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N-2金属层、第N-1金属层以及第N金属层，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蚀第N金属层、第N-1金属层、第N-2金属层、……、第二金属层以及第一金属层；其中，刻蚀第N-1金属层，包括：采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀关注区域内的第N-1金属层上的氧化层；采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀第N-1金属层上的氧化层至关注区域内的第N-1金属层露出金属铜；研磨金属铜至关注区域内的第N-1金属层完全去除。 | ||
| 申请公布号 | CN105047557A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510572282.7 | 申请日期 | 2015.09.10 |
| 申请人 | 宜特(上海)检测技术有限公司 | 发明人 | 刘国庆;李鹏云;葛金发;曾元宏 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人 | 曾耀先 |
| 主权项 | 一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法，其特征在于，包括：提供芯片及所述芯片上待进行物理去层的关注区域，所述芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N‑2金属层、第N‑1金属层以及第N金属层，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蚀所述第N金属层、所述第N‑1金属层、所述第N‑2金属层、……、所述第二金属层以及所述第一金属层；其中，刻蚀所述第N‑1金属层，包括：采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀所述关注区域内的所述第N‑1金属层上的氧化层；采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀所述第N‑1金属层上的氧化层至所述关注区域内的所述第N‑1金属层露出金属铜；研磨所述金属铜至所述关注区域内的所述第N‑1金属层完全去除。 | ||
| 地址 | 201103 上海市闵行区宜山路1618号8幢C101室 | ||