发明名称 金属氢氧化物之制造方法及ITO溅镀靶材之制造方法
摘要
申请公布号 TWI507361 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW102115696 申请日期 2013.05.02
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 藤丸笃;三村寿文;门脇豊;虫明克彦
分类号 C01G15/00;C23C14/34;C23C14/08 主分类号 C01G15/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种金属氢氧化物之制造方法,其特征为于电解槽内设置将疏水性之气体扩散层与亲水性之反应层进行层积所构成的气体扩散电极而将此电解槽内予以区划,将电解液收纳在面对于此所区划的电解槽之反应层的部分,将金属材料或导电性金属氧化物浸渍于此电解液中,以气体扩散电极作为阴极、且以金属材料或导电性金属氧化物作为阳极,而对此两电极间施加电压,并且将氧供给至面对于所区划的电解槽之气体扩散层的部分来进行电解,而使金属氢氧化物析出至电解液中。
地址 日本