| 发明名称 | 被硼和氮代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管 | ||
| 摘要 | 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102285660B | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201110164676.0 | 申请日期 | 2011.06.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李晟熏;徐顺爱;禹轮成;郑现钟;许镇盛 |
| 分类号 | C01B35/00(2006.01)I;H01L29/167(2006.01)I | 主分类号 | C01B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 金拟粲 |
| 主权项 | 石墨烯，包括：碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构，其中所述石墨烯具有带隙，其中所述石墨烯的C原子被至少一个具有所述B原子之一和所述N原子之一的二聚体或者至少一个具有所述B原子中的三个和所述N原子中的三个的六边形结构部分地代替，在前一情况中，超晶胞具有3～10的n值，在后一情况中，超晶胞具有4～17的n值，其中n表示超晶胞中包括的晶胞数目的平方根。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||