鳍式场效应管基体制备方法

摘要

一种鳍式场效应管基体制备方法，包括：提供半导体基体，并且在半导体基体上覆盖图案化的氮化物层；在氮化物层及半导体基体表面上覆盖氧化物层；在氧化物层上覆盖图案化掩膜层，利用图案化掩膜层蚀刻氧化物层，以在图案化的氮化物层所对应的区域中形成第一凹陷，在未覆盖图案化的氮化物层的区域中形成第二凹陷；在第二凹陷中部分地填充半导体材料以形成第一鳍部；刻蚀第一凹陷以暴露半导体基体；在暴露半导体基体的第一凹陷中填充半导体材料以形成第二鳍部，并且同时在第二凹陷中进一步填充半导体材料以使得第一鳍部的高度增大；去除图案化掩膜层，并且部分去除氧化物层，使得暴露的第一鳍部和第二鳍部形成具有不同高度的鳍形半导体结构。

主权项

一种鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于包括：第一步骤，其中提供半导体基体，并且在所述半导体基体上覆盖图案化的氮化物层；第二步骤，其中在所述图案化的氮化物层及暴露的半导体基体表面上覆盖氧化物层，并使得所述氧化物层平坦化；第三步骤，其中在所述氧化物层上覆盖图案化掩膜层，并利用图案化掩膜层蚀刻氧化物层，由此在所述图案化的氮化物层所对应的区域中形成第一凹陷，在未覆盖所述图案化的氮化物层的区域中形成第二凹陷；第四步骤，其中在所述第二凹陷中部分地填充半导体材料以形成第一鳍部；第五步骤，其中刻蚀所述第一凹陷以暴露所述半导体基体；第六步骤，其中在暴露所述半导体基体的所述第一凹陷中填充半导体材料以形成第二鳍部，并且同时在所述第二凹陷中进一步填充半导体材料以使得第一鳍部的高度增大；第七步骤，其中去除所述图案化掩膜层，并且部分去除所述氧化物层，使得暴露的第一鳍部和第二鳍部形成具有不同高度的鳍形半导体结构。