一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法，在所述相变存储器中的相变层与上电极界面、相变层中间以及相变层与下电极界面加入石墨烯，以改善相存储器单元的器件性能。在相变层与上电极界面加入石墨烯，能够减小重复操作中相变材料与上电极形成空洞的可能性，降低器件的失效概率；在相变层中间插入石墨烯，能够有效的将相变区域与非晶变区域隔开，限制有效区域大小，从而提高器件性能的稳定性；在相变层与下电极界面加入石墨烯，能够有效的抑制可逆操作过程中下电极与相变层之间的元素扩散，从而提高相变薄膜组分稳定性，延长器件寿命。

主权项

一种含石墨烯层的相变存储器，其特征在于：该相变存储器至少包括衬底，位于该衬底上的第一介质层以及形成于该第一介质层中的下电极，位于该第一介质层上的第二介质层以及形成于该第二介质层中的相变材料层，位于所述第二介质层上的上电极，所述相变材料层与上电极和下电极接触，所述相变材料层包括相变薄膜层以及与该相变薄膜层接触的至少一层石墨烯层。