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一种光激发光剂量检测晶体制备方法，其至少包含下列步骤：(A)于一氧化铝(Al2O3)外面涂覆一层碳膜(Carbon Film)，以碳将氧化铝包覆形成碳包覆氧化铝结构；(B)将该碳包覆氧化铝结构置于一高温炉中，在抽真空无氧环境下，以1500℃~1900℃之加热处理进行扩散程序(Diffusion Process)，将碳原子扩散进入氧化铝晶格内；以及(C)接着在大气下之开放式高温炉中，以1400℃~1800℃之加热处理进行退火程序(Annealing Process)，将氧化铝内部晶格氧与碳原子反应而形成氧空缺(Oxygen Vacancy)缺陷，以制成检测晶体(C：Al2O3)结构。 |
