发明名称 |
应变绝缘体上硅的形成方法 |
摘要 |
本发明公开了制造基于应变Si的层的方法、在这个层中制造的器件和包括这种层和器件的电子系统。该方法包括在衬底上外延生长SiGe层、在这个SiGe层中形成不同的Ge浓度的步骤。在SiGe层中的Ge浓度包括唯一的Ge突出区,在这个区中Ge浓度急剧增加。基于Si的层外延地淀积在SiGe层上,由此成为拉应变。还公开了基于应变Si的层(通常是Si或SiGe)可以转移给不同的体积的衬底或者绝缘体。 |
申请公布号 |
CN100470724C |
申请公布日期 |
2009.03.18 |
申请号 |
CN200380106506.0 |
申请日期 |
2003.12.02 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
盖伊·M·科恩;希尔科·H·克里斯蒂安森 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1. 一种使在绝缘体上的Si层产生拉应变的方法,包括如下步骤:提供绝缘体上硅晶片,所述晶片包括夹在Si衬底和单晶Si层之间的埋置的绝缘层,所述Si层具有第一晶格常数;在所述Si层的顶部上形成外延的松弛的SiGe层;通过离子注入将所述SiGe层的底部部分以及所述Si层转换为非晶状态,其中所述SiGe层的所述底部部分与所述Si层共享第一界面;和通过固相外延使所述SiGe层的所述底部部分和所述Si层再结晶,所述固相外延从在所述SiGe层的结晶顶部部分和所述SiGe层的所述转换为非晶的底部部分之间的第二界面产生籽晶,其中在所述第二界面处所述SiGe层的所述顶部部分具有第二晶格常数,所述第二晶格常数大于所述第一晶格常数,由此一旦再结晶,所述Si层被迫适应所述第二晶格常数并产生拉应变。 |
地址 |
美国纽约 |