浅沟槽隔离结构及其制造方法

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体基材，包括一第一多晶矽层与一蚀刻停止层，该第一多晶矽层具有一第一导电型，该蚀刻停止层位于该第一多晶矽层之上；蚀刻该半导体基材以形成一浅沟槽；形成一填充氧化层于该浅沟槽中，全部之该填充氧化层系低于该蚀刻停止层；形成一第二多晶矽层覆盖该浅沟槽、该填充氧化层及该蚀刻停止层，该第二多晶矽层具有该第一导电型；以及移除该蚀刻停止层及该第二多晶矽层位于该蚀刻停止层上之部份，以暴露该第一多晶矽层，使该第一多晶矽层与该第二多晶矽层的上部边缘构成一平坦表面，其中该平坦表面的平整度小于或等于500埃。