| 摘要 |
Винахід належить до методів діагностики напівпровідникових пристроїв у галузі напівпровідникової промисловості, мікроелектроніки та сонячної енергетики. Винахід може бути застосованим для тестування і діагностики багатошарових напівпровідникових структур на підприємствах мікроелектронного профілю, при виробництві та в період експлуатації. Спосіб тестування фоточутливих багатошарових структур полягає у реєстрації фотоелектричного відгуку багатошарової напівпровідникової структури на послідовність оптичних імпульсів, довжини хвиль яких відповідають спектральним діапазонам поглинання у кожному з напівпровідникових шарів. Виміряні залежності величини фотоелектричного сигналу від наскрізного електричного струму інтегруються чисельними методами. Це дозволяє відтворити вольт-амперні характеристики окремих шарів напівпровідникової структури без потреби у руйнуванні пристрою або створенні додаткових контактів. Технічним результатом винаходу є можливість тестування фоточутливих структур, які складаються з багатьох напівпровідникових шарів, відтворення вольт-амперних характеристик окремих шарів фоточутливих багатошарових елементів. |
