Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht und eines Siliziumkarbid-Bauelementes
摘要
<p>Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf einem Siliziumkarbid-Substrat mit folgenden Schritten: Bereitstellen (100) eines einkristallinen Siliziumkarbid-Substrates mit einer Fehlorientierung der (0001)- oder der</p>
申请公布号
DE102008060372(B4)
申请公布日期
2015.11.05
申请号
DE20081060372
申请日期
2008.12.03
申请人
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
THOMAS, BERND, DR.;KALLINGER, BIRGIT;JOCHEN, FRIEDRICH, DR.
