| 发明名称 | 一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。在改变设备进行试运行时，其计算方法包括：步骤S1：罗列设备的曝光能量矩阵，以及光刻工艺中的工艺条件参数；步骤S2：进行条件匹配，并基于所述条件下的曝光能量参数计算曝光能量参数参考值Dose_Ref（n）；步骤S3：基于数据库中样本的曝光能量参数Dose_Ref（n）之权重Wt（n）和时间Day（n），获取预测的曝光能量参数Dose_JI。本发明光刻试运行中曝光能量参数的预测方法在进行曝光能量预测时，可大幅度提高试运行成功率，节约成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103698985B | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410010119.7 | 申请日期 | 2014.01.09 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈骆;陆向宇;鲍晔 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，其特征在于，所述方法包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算，其计算方法进一步包括：执行步骤S1：罗列相关设备中满足光刻工艺条件参数的曝光能量矩阵，所述工艺参数包括产品相关工艺、层间结构、光阻厚度、曝光照度设定、关键尺寸值、设备类型；执行步骤S2：进行条件匹配，并基于上述条件下的曝光能量参数计算曝光能量参数参考值Dose_Ref(n)；执行步骤S3：基于数据库中样本的曝光能量参数Dose_Ref(n)之权重Wt(n)和时间Day(n)，获取所述预测的曝光能量参数Dose_JI；其中，所述时间Day(n)表征数据库中满足工艺条件的样本到当前的时间，Pilot_time表征设定的时间常数；权重<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>W</mi><mi>t</mi><mrow><mo>(</mo><mi>n</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><msup><mn>2</mn><mfrac><mrow><mo>-</mo><mi>D</mi><mi>a</mi><mi>y</mi><mrow><mo>(</mo><mi>n</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><mi>P</mi><mi>i</mi><mi>l</mi><mi>o</mi><mi>t</mi><mo>_</mo><mi>t</mi><mi>i</mi><mi>m</mi><mi>e</mi></mrow></mfrac></msup><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000744966050000011.GIF" wi="370" he="122" /></maths>预测的曝光能量参数<maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><mi>D</mi><mi>o</mi><mi>s</mi><mi>e</mi><mo>_</mo><mi>J</mi><mi>I</mi><mo>=</mo><mfrac><mrow><mi>Σ</mi><mi>D</mi><mi>o</mi><mi>s</mi><mi>e</mi><mo>_</mo><mi>Re</mi><mi>f</mi><mrow><mo>(</mo><mi>n</mi><mo>)</mo></mrow><mo>·</mo><mi>W</mi><mi>t</mi><mrow><mo>(</mo><mi>n</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><mi>Σ</mi><mi>W</mi><mi>t</mi><mrow><mo>(</mo><mi>n</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>.</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000744966050000012.GIF" wi="811" he="162" /></maths> | ||
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