| 发明名称 | 提供再分布层（RDL）和硅通孔（TSV）的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括：制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105023909A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410332205.X | 申请日期 | 2014.07.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 游绍祺;洪嘉明;陈相甫;戴文川;黄信锭 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法，所述方法包括：制备用于与半导体封装接合的晶圆，所述晶圆包括低电阻衬底，所述低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使所述半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用，其中，所述RDL包括穿过所述低电阻衬底并且两侧由隔离沟槽划界的导电路径，所述TSV由所述隔离沟槽和所述RDL划界；以及将所述晶圆接合至所述半导体封装。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||