发明名称 半导体元件与半导体元件之制造方法
摘要
申请公布号 TWI506816 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW100126333 申请日期 2011.07.26
申请人 同和电子科技股份有限公司 发明人 门脇嘉孝;豊田达宪
分类号 H01L33/30 主分类号 H01L33/30
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种半导体元件之制造方法,系制造具备有于支持基板上接合有半导体层之构成之半导体元件,具备如下步骤:元件区域形成步骤,其系于成长基板上经由掀离层形成由该半导体层所构成之元件区域;柱状物形成步骤,其系于该成长基板上形成柱状物;接合步骤,其系于支持基板接合该半导体层及该柱状物之上部;掀离步骤,其系藉由除去该掀离层来分离该半导体层之下面与该成长基板,且不分离该柱状物与该成长基板;及分离步骤,其系分离该柱状物与该支持基板。
地址 日本