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发明名称 高压电阻型ＭＥＭＳ感应器
摘要
申请公布号 TWI506278 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW102135183 申请日期 2013.09.27
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 小西隆宽
分类号 G01P15/12;G01L1/18 主分类号 G01P15/12
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种高压电阻型MEMS感应器，其包括由厚度1μm以上之Si构成且对应于检测量而进行移位之移位部，于上述移位部之内部形成有因杂质之扩散所致之高压电阻元件；其特征在于：上述高压电阻元件于距上述移位部之表面较0.5μm深且较上述移位部之厚度尺寸之1/2之深度浅的位置具有杂质浓度之峰值，其中上述移位部之厚度为1μm以上且10μm以下。
地址 日本
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