| 摘要 |
<p>L’invention se rapporte à un procédé de dépôt sélectif d’un revêtement sur un substrat (11). Selon l’invention, le procédé comporte les étapes suivantes: a) former le substrat (11); b) former une couche sacrificielle (12) sur une partie du substrat (11); c) déposer des particules (13) sur le substrat (11) destinée à former une couche de germination; d) retirer la couche sacrificielle (12) afin de laisser sélectivement libre de toute particule (13) une partie du substrat (11); e) déposer le revêtement chimiquement en phase vapeur afin qu’il se dépose exclusivement où subsistent les particules (13).</p> |
