SILIZIUMKARBIDHALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN HIERFÜR

摘要

Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung, aufweisend: ein Substrat (1) aus Siliziumkarbid mit einer Si-Fläche als Hauptoberfläche, wobei das Substrat (1) einen ersten Leitfähigkeitstyp oder einen zweiten Leitfähigkeitstyp hat; eine Drift-Schicht (2) aus Siliziumkarbid und auf dem Substrat (1) ausgebildet, wobei die Drift-Schicht (2) den ersten Leitfähigkeitstyp hat und eine Verunreinigungskonzentration hat, welche niedriger ist als eine Verunreinigungskonzentration des Substrats (1); einen Basisbereich (3) aus Siliziumkarbid und auf der Drift-Schicht (2) ausgebildet, wobei der Basisbereich (3) den zweiten Leitfähigkeitstyp hat; einen Source-Bereich (4) aus Siliziumkarbid und in einem Oberflächenabschnitt des Basisbereichs (3) ausgebildet, wobei der Source-Bereich (4) die Si-Fläche hat, der Source-Bereich (4) den ersten Leitfähigkeitstyp hat und eine Verunreinigungskonzentration hat, welche höher als die Verunreinigungskonzentration der Drift-Schicht (2) ist; einen Graben (6), ausgebildet von einer Oberfläche des Source-Bereichs (4) aus zu einem Abschnitt tiefer als der Basisbereich (3), wobei sich der Graben (6) längs in einer Richtung erstreckt und einen Si-Flächen-Boden hat; einen Gate-Oxidfilm (7), der an einer Innenwand des Grabens (6) ausgebildet ist; eine Gate-Elektrode (8), die auf dem Gate-Oxidfilm (7) in dem Graben (6) ausgebildet ist; eine Source-Elektrode (9), welche elektrisch mit dem Source-Bereich (4) und dem Basisbereich (3) verbunden ist; und eine Drain-Elektrode (11), die an einer rückwärtigen Oberfläche des Substrats (1) ausgebildet ist, wobei ...