发明名称 发光二极管封装结构
摘要 一种发光二极管封装结构,包含基板、发光二极管芯片、封装层以及多个反射颗粒。发光二极管芯片设置于基板上。封装层设置于基板上且包覆发光二极管芯片。封装层区分为第一层与第二层,第一层围绕发光二极管芯片的侧壁,第二层覆盖于发光二极管芯片与第一层上。反射颗粒分布于第一层中。通过将反射颗粒分布于第一层中,当自发光二极管芯片的侧壁射出的光线在第一层中行进时,光线将会被分布于第一层中的反射颗粒反射。于是,光线被反射后也会朝上方行进,因而使光线由发光二极管封装结构的顶面射出,于是自发光二极管芯片的侧壁射出的光线亦可以被有效利用,进而提升发光二极管封装结构的发光效率。
申请公布号 CN204732448U 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201520271469.9 申请日期 2015.04.29
申请人 扬州艾笛森光电有限公司;艾笛森光电股份有限公司 发明人 詹贵丞
分类号 H01L33/56(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I 主分类号 H01L33/56(2010.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种发光二极管封装结构,其特征在于,包含:一基板;一发光二极管芯片,设置于该基板上;一封装层,其中该封装层区分为一第一层与一第二层,该第一层围绕该发光二极管芯片的侧壁,该第二层覆盖于该发光二极管芯片与该第一层上;以及多个反射颗粒,设置于该第一层中。
地址 225000 江苏省扬州市邗江区华扬西路101号