| 发明名称 | 生长在GaAs衬底上的InAs量子点及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InAs量子点，由下至上依次包括GaAs衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。本发明的另一目的在于提供上述生长在GaAs衬底上的InAs量子的制备方法：(1)对GaAs衬底进行清洗；(2)对GaAs衬底进行除气和脱氧预处理；(3)在GaAs衬底上生长InAs量子点层：(4)在InAs量子点层上覆盖GaAs盖层；(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，极大提高了InAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InAs量子点的有效方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105006426A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201510373122.X | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 张曙光;李国强;温雷;高芳亮;李景灵 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在GaAs衬底上的InAs量子点，其特征在于，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||