一种β-SiC中杂质元素的定量分析方法

摘要

本发明涉及一种β-SiC中杂质元素的定量分析方法，包括：1）配制杂质元素系列标准溶液；2）采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪测定所述系列标准溶液的发射光谱强度，绘制各待测元素浓度和发射光谱强度的校准曲线；3）将β-SiC样品在高压密闭环境下采用氢氟酸、硝酸消解形成待测溶液；4）重复步骤3）但不添加β-SiC样品形成空白溶液；5）采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪，分别测定步骤3）和4）制备待测溶液和空白溶液的发射光谱强度，结合步骤2）制备的校准曲线，得到被测元素的浓度，计算出β-SiC样品中被测元素的质量百分含量。本方法具有操作简便、快速、准确、灵敏及重复性好等优点。

主权项

一种β‑SiC中杂质元素的定量分析方法，其特征在于，包括：1）配制杂质元素系列标准溶液；2）采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪测定所述系列标准溶液的发射光谱强度，绘制各待测元素浓度和发射光谱强度的校准曲线；3）将β‑SiC样品在高压密闭环境下采用氢氟酸、硝酸消解形成待测溶液；4）重复步骤3）但不添加β‑SiC样品形成空白溶液；5）采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪，分别测定步骤3）和4）制备待测溶液和空白溶液的发射光谱强度，结合步骤2）制备的校准曲线，得到被测元素的浓度，计算出β‑SiC样品中被测元素的质量百分含量。