一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法

摘要

本发明涉及一种镓硼锗共掺多晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为1.02*10¹⁵-1.02*10¹⁷atoms/cm³，硼元素10¹⁵-10¹⁷atoms/cm³,锗元素10¹⁶-2*10¹⁹atoms/cm³。同时，本发明还公开了一种制备所述的镓硼锗共掺多晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺多晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了硅片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺多晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。

主权项

一种镓硼锗共掺多晶硅，其特征在于：在多晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02*10¹⁵‑1.02*10¹⁷ atoms/cm³，硼元素10¹⁵‑10¹⁷atoms/cm³，锗元素10¹⁶‑2*10¹⁹atoms/cm³。