| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括：层问绝缘膜，其形成在半导体基板上；最上层布线，其由铜构成且形成在所述层间绝缘膜上；钝化膜，其形成在所述最上层布线上，且具有使所述最上层布线的表面作为电极焊盘而选择性露出的焊盘开口；和焊线，其由铜构成，且直接接合于所述电极焊盘。 | ||
| 申请公布号 | CN105006462A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201510378917.X | 申请日期 | 2010.06.17 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 芳我基治;吉田真悟;糟谷泰正;永原斗一;木村明宽;藤井贤治 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 韩聪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：层间绝缘膜，其形成在半导体基板上；最上层布线，其由铜构成且形成在所述层间绝缘膜上；钝化膜，其形成在所述最上层布线上，且具有使所述最上层布线的表面作为电极焊盘而选择性露出的焊盘开口；和焊线，其由铜构成，且直接接合于所述电极焊盘。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||