发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 한 쌍의 제 1 내충격층과 제 2 내충격층 사이에 샌드위치된 반도체 집적 회로에서, 반도체 집적 회로와 제 2 내충격층 사이에 충격 확산층이 제공된다. 외부 스트레스에 대한 내충격층 및 충격을 분산하기 위한 충격 확산층의 제공에 의해, 단위 영역 당 반도체 집적 회로에 인가되는 힘이 감소되어, 반도체 집적 회로가 보호된다. 충격 확산층은 낮은 탄성률 및 높은 파단 계수를 갖는 것이 바람직하다.
申请公布号 KR101563138(B1) 申请公布日期 2015.10.26
申请号 KR20107026200 申请日期 2009.04.15
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 에구치 신고
分类号 H01L27/12 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
主权项
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