| 发明名称 | 薄膜电晶体结构 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI505476 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | TW101150646 | 申请日期 | 2012.12.27 |
| 申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 徐振航;余宗玮;陈蔚宗;辛哲宏 |
| 分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种薄膜电晶体结构，包括：一基板；一闸极，配置于该基板上；一氧化物半导体层，配置于该基板上，与该闸极在一厚度方向上堆叠；一闸绝缘层，配置于该氧化物半导体层与该闸极之间；一源极，配置于该基板上并接触该氧化物半导体层；一汲极，配置于该基板上并接触该氧化物半导体层，该氧化物半导体层的一部份没有被该源极与该汲极接触而定义出一通道区，且该通道区位于该源极与该汲极之间；一矽质吸光层，与该氧化物半导体层在该厚度方向上堆叠，且该氧化物半导体层位于该基板与该矽质吸光层之间，其中该矽质吸光层的能隙小于2.5eV；以及一绝缘层，配置于该氧化物半导体层与该矽质吸光层之间，且该绝缘层与该矽质吸光层彼此接触。 | ||
| 地址 | 新竹市科学工业园区力行一路3号 | ||