| 发明名称 | 应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件，该制备方法包括:选取SOI衬底；生长N型应变Ge层以形成NMOS有源区和PMOS有源区；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；在PMOS有源区内注入P型离子形成PMOS的源漏区，在NMOS有源区内注入N型离子形成NMOS的源漏区；在PMOS和NMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成金属栅极，且NMOS的栅极为高功函数的金属栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成应变Ge CMOS集成器件。本发明实施例实现了高性能应变Ge CMOS器件的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN104992930A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510393906.9 | 申请日期 | 2015.07.07 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 刘翔宇;胡辉勇;王斌;张鹤鸣;宋建军;宣荣喜;舒斌 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 汤东凤 |
| 主权项 | 一种应变Ge CMOS集成器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)在所述SOI衬底上生长N型应变Ge层，以形成NMOS有源区和PMOS有源区；(c)在所述NMOS有源区和所述PMOS有源区之间采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；(d)在所述PMOS有源区内注入P型离子形成所述PMOS的源漏区，在所述NMOS有源区内注入N型离子形成所述NMOS的源漏区；(e)在所述PMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成PMOS金属栅极；在所述NMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成高功函数的NMOS金属栅极；以及(f)金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成应变Ge CMOS集成器件。 | ||
| 地址 | 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||