发明名称 |
相变化存储装置及其制造方法 |
摘要 |
一种相变化存储装置及制造方法是部分移除导电材料以使加热器的内径往相变化材料端逐渐缩小,进而使加热器与相变化材料间的接触面积较小。依据此结构,以较小的电流即能够改变小范围相变化材料的结晶态,因此可降低装置的功耗,且可避免产生空洞的缺陷以提升装置的可靠度。 |
申请公布号 |
CN104993049A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510405307.4 |
申请日期 |
2015.07.08 |
申请人 |
宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
发明人 |
吴孝哲;王博文 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
胡林岭 |
主权项 |
一种相变化存储装置的制造方法,其特征在于,包含:提供一基板,其包含一存取电路,其中该存取电路包含至少一个导电接点;形成一导电结构于该基板上,其中该导电结构与该导电接点电性连接,该导电结构包含一导电材料以及一屏障层,且该屏障层包围该导电材料的一侧面以及一底面;部分移除该屏障层,使该屏障层的顶表面低于该导电材料的顶表面;部分移除该导电材料,使曝露出来的该导电材料的内径由该导电材料的该底面往该导电材料的顶表面逐渐缩小;形成一第二介电层以覆盖该导电材料;以及薄化该第二介电层,使该导电材料曝露出来。 |
地址 |
315000 浙江省宁波市中国宁波市鄞州区首南街道日丽中路555号华茂总部一号1005室 |