发明名称 |
三维堆叠MEMS封装结构 |
摘要 |
本实用新型公开了一种三维堆叠MEMS封装结构,采用一中介层作为连接MEMS芯片与IC芯片的桥梁,该中介层的尺寸大于IC芯片的尺寸或/和MEMS芯片的尺寸;中介层上设置有若干用于将该MEMS封装结构的电性导出的焊球。这样,此三维堆叠MEMS封装结构将不受MEMS芯片和IC芯片尺寸的限制,当IC芯片较大时,可将焊球设于中介层的下表面上,当MEMS芯片较大时,可将焊球设于中介层的上表面上,当IC芯片均较小时,焊球可任意设置在中介层的上表面或下表面上,因此,无论尺寸大小,均可采用此封装结构,从而满足MEMS的集成封装,达到降低生产成本,提高MEMS封装的集成度及封装良率的目的。 |
申请公布号 |
CN204714514U |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201520356956.5 |
申请日期 |
2015.05.28 |
申请人 |
华天科技(昆山)电子有限公司 |
发明人 |
万里兮;肖智轶;钱静娴;翟玲玲;马力;项敏;沈建树 |
分类号 |
B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
昆山四方专利事务所 32212 |
代理人 |
盛建德;段新颖 |
主权项 |
一种三维堆叠MEMS封装结构,其特征在于,包括MEMS芯片(200)、中介层(300)和IC芯片(100),所述中介层具有上表面(300a)和下表面(300b),所述中介层的下表面中部具有凹槽,所述凹槽周边设有贯通所述上表面和下表面的若干导电通孔(6);所述中介层的下表面与所述MEMS芯片的正面通过密封圈(3)键合密封连接,使所述凹槽与所述MEMS芯片中部的腔体(4)相对围成一密闭空腔,所述MEMS芯片的元件(5)位于所述密闭空腔内;所述IC芯片贴装于所述中介层的上表面,所述IC芯片的电性与所述MEMS芯片的电性通过所述导电通孔进行连接;所述中介层的尺寸大于所述IC芯片的尺寸或/和所述MEMS芯片的尺寸;所述中介层上设置有若干用于将该MEMS封装结构的电性导出的焊球(304)。 |
地址 |
215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号 |