| 发明名称 | 一种纳米图形化方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。 | ||
| 申请公布号 | CN104986722A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510275200.2 | 申请日期 | 2015.05.26 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心 | 发明人 | 欧欣;斯蒂芬·福斯柯;贾棋;王曦 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种纳米图形化方法，其特征在于，所述纳米图形化方法包括下述步骤：提供由至少两种化学元素所组成的单晶材料作为衬底；对所述衬底进行加热；用离子束辐照所述衬底，以在所述衬底中产生晶格空位，通过空位的自组装从而制备具有空间周期性排列的表面纳米结构阵列。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||