| 主权项 |
一种保护设备，其系用以在一处理室内保护一晶圆之一中央晶片区不受带电粒子之损害，该保护设备包含：一第一电极，用以将该晶圆安装于该处理室内，该晶圆之该中央晶片区位于以一晶圆轴为中心之一装置边界内，且该晶圆之一晶圆边缘禁止区系自该晶圆轴及该边界两者径向延伸离开；一第二电极，设有一场环安装部，该场环安装部相对于该边界沿径向延伸、并远离该晶圆轴、且邻近于该边界；一场环配置，用以建立能够施力于该带电粒子上，以抵制该带电粒子移动至该中央晶片区之场，该场环配置系安装于该场环安装部中，且系用以使该场具有邻近于该边界之一峰值之一场强度梯度，该场强度梯度定义出与离开该晶圆轴及离开该边界之径向距离增加成反比增加的场强度，该梯度及该场强度之该峰值抵制该带电粒子朝向该晶圆轴沿径向移动通过该边界；一第一电性接地环，沿该边缘禁止区及该场环安装部径向向外之一环状路径延伸，且与该第二电极电性绝缘；且其中：该第一电极更设有一第二电性接地环，沿该边缘禁止区之径向向外之一环状路径延伸，且与安装的该晶圆电性绝缘；且该场环配置更设有一DC偏压环，该DC偏压环系安装于该场环安装部中，以使该等接地环及该DC偏压环协同作用而将该场建立为具有所设定该场强度梯度之一电场。
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