发明名称 |
一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器,涉及光电技术领域,为能够增强薄膜晶体管的稳定性而发明。所述阵列基板包括:基板;形成于所述基板上的栅线层,所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线;形成于所述栅线层上方的栅绝缘层;形成于所述绝缘层上方的有源层;形成于所述有源层上方的数据线层,所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述数据线与所述栅线交叉,其中,所述有源层包括导体层和半导体层,所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方,所述半导体层包裹所述导体层。本发明主要适用在X射线平板探测器中。 |
申请公布号 |
CN103137641B |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201310031381.5 |
申请日期 |
2013.01.25 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
阎长江;李田生;徐少颖;谢振宇;陈旭 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,包括:基板;形成于所述基板上的栅线层,所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线;形成于所述栅线层上方的栅绝缘层;形成于所述栅绝缘层上方的有源层;形成于所述有源层上方的数据线层,所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述数据线与所述栅线交叉,其特征在于,所述有源层包括导体层和半导体层,所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方,所述半导体层包裹所述导体层;所述栅绝缘层的形成材料为氧化物、氮化物或者氮氧化合物。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |