发明名称 一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器
摘要 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器,涉及光电技术领域,为能够增强薄膜晶体管的稳定性而发明。所述阵列基板包括:基板;形成于所述基板上的栅线层,所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线;形成于所述栅线层上方的栅绝缘层;形成于所述绝缘层上方的有源层;形成于所述有源层上方的数据线层,所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述数据线与所述栅线交叉,其中,所述有源层包括导体层和半导体层,所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方,所述半导体层包裹所述导体层。本发明主要适用在X射线平板探测器中。
申请公布号 CN103137641B 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201310031381.5 申请日期 2013.01.25
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 阎长江;李田生;徐少颖;谢振宇;陈旭
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种阵列基板,包括:基板;形成于所述基板上的栅线层,所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线;形成于所述栅线层上方的栅绝缘层;形成于所述栅绝缘层上方的有源层;形成于所述有源层上方的数据线层,所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述数据线与所述栅线交叉,其特征在于,所述有源层包括导体层和半导体层,所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方,所述半导体层包裹所述导体层;所述栅绝缘层的形成材料为氧化物、氮化物或者氮氧化合物。
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号
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