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<p>반도체 기판 위에 서브-리쏘그래픽 전하 저장 소자를 형성하는 방법이 제시된다. 상기 방법은 반도체 기판 위에 제1 및 제2 층을 제공하는 단계와, 상기 제1 층의 두께는 상기 제2 층의 두께보다 크고; 상기 제1 층의 측면에 인접하게 그리고 상기 제2 층의 상면의 일부 위에 스페이서를 형성하는 단계와; 그리고 상기 스페이서에 의해 덮이지 않은 상기 제2 층의 노출된 부분을 제거하는 단계를 포함한다. 상기 스페이서에 의해 보호되는 상기 제2 층의 일부를 남겨두는 반면, 상기 제2 층의 노출된 부분을 제거함으로써, 상기 방법은 상기 반도체 기판 위의 상기 제2 층의 나머지 부분으로부터 서브-리쏘그래픽 전하 저장 소자를 만들 수 있다.</p> |
