发明名称 具有自动对准极化器之记忆体单元;MEMORY CELLS HAVING A SELF-ALIGNING POLARIZER
摘要 本文中阐述自旋转矩转移记忆体单元及其形成方法。作为一实例,自旋转矩转移记忆体单元可包含一自动对准极化器、一经钉紮极化器,及形成于该自动对准极化器与该经钉紮极化器之间之一储存材料。
申请公布号 TW201539440 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104108834 申请日期 2015.03.19
申请人 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 哈玛斯 强纳森D HARMS, JONATHAN D.;陈伟 CHEN, WEI;墨西 桑尼尔S MURTHY, SUNIL S.
分类号 G11C11/16(2006.01) 主分类号 G11C11/16(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国 US