| 发明名称 |
复合基材、包含该复合基材之半导体元件及其制造方法;COMPOSITE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SUCH COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供一种复合基材、包含该复合基材之半导体元件及其制造方法。特别地，本发明之复合基材包含由氮化镓基多晶层转变成的氮化镓基单晶层，并且氮化镓基多晶层具有特定厚度范围约从2nm至100nm。 |
| 申请公布号 |
TW201538777 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
| 申请号 |
TW104112086 |
申请日期 |
2015.04.15 |
| 申请人 |
环球晶圆股份有限公司 GLOBALWAFERS CO., LTD. |
发明人 |
陈敏璋 CHEN, MIIN JANG;施奂宇 SHIH, HUAN YU;徐文庆 HSU, WEN CHING;林瑞民 LIN, RAY MING |
| 分类号 |
C23C16/34(2006.01);C30B29/40(2006.01);B32B9/04(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
廖钲达 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区工业东二路8号 TW; |
