半导体结构;SEMICONDUCTOR STRUCTURE

摘要

一种半导体结构，包括基材、漂移层、至少一掺杂区、磊晶通道、闸极氧化层、闸极金属以及绝缘层。漂移区位于基材之上，且基材及漂移层具有n型导电型。掺杂区包括p型井、n型掺杂区及p型掺杂区，其中n型掺杂区设置于p型井之内，至少一部分的p形掺杂区设置于p型井之内，且与n型掺杂区相邻。磊晶通道位于漂移层之上，且覆盖至少一部分的n型掺杂区。磊晶通道由至少二层导电型或掺杂浓度不完全相同的磊晶层构成。闸极氧化层位于磊晶通道之上。闸极金属位于闸极氧化层之上。绝缘层位于闸极金属与闸极氧化层之上。