发明名称 半导体元件及其形成;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMATION THEREOF
摘要 提供一种半导体装置及其形成。半导体装置,包括:位在基底之上的第一开口中之金属插塞。上述金属插塞具有实质上为凸面之接触底表面。与实质上并非凸面之金属插塞的接触底表面相比,实质上为凸面之接触底表面具有增加的接触区域。金属插塞增加的接触面积减少了金属插塞的电阻。比起具有较小接触区域的半导体装置,增加的接触面积所需用以形成金属插塞晶种层的沉积数量较少。较少的沉积数量减少了沉积之金属插塞晶种层材料的悬突。减少沉积之金属插塞晶种层材料的悬突减少了金属插塞之沉积金属插塞晶种层材料中凹洞的形成。
申请公布号 TW201539554 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW103146198 申请日期 2014.12.30
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 林瑀宏 LIN, YU HUNG;林圣轩 LIN, SHENG HSUAN;张志维 CHANG, CHIH WEI;周友华 CHOU, YOU HUA
分类号 H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L21/28(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW