| 摘要 |
本発明は、第１の基板の第１の接触面と、少なくとも１つの反応層を有する第２の基板の第２の接触面とを結合する方法において、次の工程、特に次の手順：前記基板を、第１の電極と第２の電極との間又はコイル内に収容する工程、及び第１の接触面を、電極の容量結合により発生させたプラズマに曝し、その際、第１の電極には、プラズマ発生の間に第２の電極の第２の周波数とは異なる第１の周波数が適用されることにより、又はコイルの誘導結合によって作成されたプラズマに曝し、その際、第１の発生器はプラズマ発生の間に第２の発生器の第２の周波数とは異なる第１の周波数が適用されることにより、第１の接触面のリザーバー形成層内にリザーバーを形成する工程を有する方法に関する。更に、本発明は対応する装置に関する。 |
