深沟槽工艺晶片周边硅针状缺陷的解决方法

摘要

本发明公开了一种深沟槽工艺晶片周边硅针状缺陷的解决方法，包括步骤：1)在衬底氧化硅上淀积六甲基二硅胺蒸汽；2)涂布第一层光阻，软烘烤，曝光；3)涂布第二层同种光阻，软烘烤，用相应的光罩曝光晶片周边区域；4)第一次显影液喷吐，静止，甩干；5)第二次显影液喷吐，静止，去离子水冲洗并甩干。该方法通过两次涂光阻和两次曝光的方式，将边缘光阻的形貌变成倒梯形结构，这样，在刻蚀时晶片周边就可以挡住刻蚀，不致损伤到下面的氧化硅，从而避免了硅针缺陷的出现。

主权项

深沟槽工艺晶片周边硅针状缺陷的解决方法，其特征在于，在光刻完成后，深沟槽刻蚀前，包括以下步骤：1)在衬底氧化硅上淀积六甲基二硅胺蒸汽；2)涂布第一层光阻，软烘烤，曝光；3)涂布第二层同种光阻，软烘烤，用相应的掩膜曝光晶片周边区域；本步骤的曝光强度和所述步骤2)的曝光强度相同；4)第一次显影液喷吐，静止，甩干；5)第二次显影液喷吐，静止，去离子水冲洗并甩干，形成倒梯形的光阻膜。