| 发明名称 | 一种制作芯片压焊块的方法及芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作芯片压焊块的方法及芯片，以增加芯片中压焊块区域的金属层的厚度，降低对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率。制作芯片压焊块的方法，包括：在芯片的硅衬底上沉积第一金属层；对所述第一金属层进行光刻及蚀刻，蚀刻掉除覆盖在压焊块区域的第一区域金属层之外的所有金属层；在所述硅衬底上沉积第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一金属层；并对所述第二金属层中覆盖在所述压焊块区域的第二区域金属层之外的其他区域进行光刻及蚀刻，以完成芯片电路布线蚀刻；在进行光刻和蚀刻之后的第二金属层上生成钝化层；对所述钝化层进行光刻和蚀刻，蚀刻掉覆盖在所述压焊块区域的钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN103065974B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201110325425.6 | 申请日期 | 2011.10.24 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;赵文魁 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种制作芯片压焊块的方法，其特征在于，包括：在芯片的硅衬底上沉积第一金属层；对所述第一金属层进行光刻及蚀刻，蚀刻掉除覆盖在压焊块区域的第一区域金属层之外的所有金属层；在所述硅衬底上沉积第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一金属层；并对所述第二金属层中覆盖在所述压焊块区域的第二区域金属层之外的其他区域进行光刻及蚀刻，以完成芯片电路布线蚀刻，所述第一金属层与第二金属层的厚度的和值大于打线深度，所述打线深度为采用金属线对所述芯片进行打线过程中所述金属线在所述压焊块区域所形成的凹槽的深度；在进行光刻和蚀刻之后的第二金属层上生成钝化层；对所述钝化层进行光刻和蚀刻，蚀刻掉覆盖在所述压焊块区域的钝化层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||