| 发明名称 | 一种集成电路及制作集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种集成电路及制作集成电路的方法。所述集成电路包括：功率MOSFET，具有漏极、栅极和源极；JFET，具有漏极、栅极和源极，所述JFET的漏极耦接至所述功率MOSFET的漏极，所述JFET和功率MOSFET共用所述集成电路的衬底上的漂移区；检测引脚，耦接至所述JFET的源极；源极引脚，耦接至所述功率MOSFET的源极；栅极引脚，耦接至所述功率MOSFET的栅极；漏极引脚，耦接至所述功率MOSFET的漏极和所述JFET的漏极。本申请通过简单的制作工艺保证了低电压水平的控制器可接收功率MOSFET的漏极高压。 | ||
| 申请公布号 | CN103022035B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201310016877.5 | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 李铁生 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：功率MOSFET，具有漏极、栅极和源极；JFET，具有漏极、栅极和源极，所述JFET的漏极耦接至所述功率MOSFET的漏极，所述JFET和功率MOSFET共用所述集成电路的衬底上的漂移区；检测引脚，耦接至所述JFET的源极；源极引脚，耦接至所述功率MOSFET的源极；栅极引脚，耦接至所述功率MOSFET的栅极；漏极引脚，耦接至所述功率MOSFET的漏极和所述JFET的漏极。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 | ||