| 发明名称 | 应用于射频领域的LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种应用于射频领域的LDMOS器件，采用绝缘体上硅，所述绝缘体上硅由自下而上的底层硅、绝缘层、顶层硅组成；所述LDMOS器件位于所述顶层硅上。本申请还公开了其制造方法。由于将器件制造在绝缘体上硅上，本申请可以在获取高击穿电压的同时，降低源极与漏极之间的寄生电容。 | ||
| 申请公布号 | CN103035728B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201210512690.X | 申请日期 | 2012.12.04 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种应用于射频领域的LDMOS器件，其特征是：采用绝缘体上硅，所述绝缘体上硅由自下而上的底层硅、绝缘层、顶层硅组成；所述LDMOS器件位于所述顶层硅上；所述LDMOS器件的多晶硅栅极上方和部分漂移区上方具有氧化硅；部分或全部的所述氧化硅的上方具有金属或多晶硅材质的栅掩蔽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||