| 发明名称 | 半导体器件的形成方法、鳍式场效应管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有支撑部；形成位于所述支撑部侧壁的可流动层；在形成所述可流动层后，去除所述支撑部；去除所述支撑部后，对所述可流动层进行处理，形成侧壁平坦的侧墙。后续以所述侧壁平坦的侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，形成鳍式场效应管时，形成的鳍部的尺寸沿半导体衬底表面方向的精准度高，质量好，鳍式场效应管的性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103367156B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201210093499.6 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有支撑部；形成位于所述支撑部侧壁的可流动层，所述可流动层的材料为正硅酸乙酯和臭氧，或者所述可流动层的材料为硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、聚乙烯氧化硅或聚乙烯氮化硅；在形成所述可流动层后，去除所述支撑部；去除所述支撑部后，对所述可流动层进行处理，形成侧壁平坦的侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||