发明名称 用于具有受限的写入承受能力的存储器的集合内耗损均衡的方法和设备
摘要 本发明描述用于延长具有受限的写入承受能力的存储器的可用寿命的有效技术。用于耗损均衡高速缓冲存储器的技术解决致使大量写入高速缓冲存储行比所述高速缓冲存储器中的其它行较快失效的高速缓冲存储行上的不平衡写入业务量。针对到高速缓冲存储器阵列的每一写入操作,递增计数器。从所述高速缓冲存储器收回由致使所述计数器满足阈值的当前写入操作所影响的行而非将数据写入到所述受影响行。可取决于操作程序作出对所述阈值的动态调整。归因于所述计数器满足所述阈值,停止对当前替代策略指标的更新。
申请公布号 CN104981785A 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201480007156.0 申请日期 2014.02.18
申请人 高通股份有限公司 发明人 董翔宇
分类号 G06F12/08(2006.01)I 主分类号 G06F12/08(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种用于耗损均衡高速缓冲存储器的方法,所述方法包括:针对到所述高速缓冲存储器的每一写入操作,递增计数器;从所述高速缓冲存储器收回由致使所述计数器满足阈值的当前写入操作所影响的行;和归因于所述计数器满足所述阈值,停止到由所述当前写入操作所影响的所述行的所述当前写入。
地址 美国加利福尼亚州