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<p>본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 산화막 형성방법으로서, 미리, 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기, 및/또는 실리콘 웨이퍼 표층부의 결정성을 측정하고, 측정값으로부터 실리콘 웨이퍼의 산화 조건을 조정하여, 조정된 산화 조건 하에서 실리콘 웨이퍼에 산화막을 형성하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 형성방법에 관한 것이다. 이렇게 함으로써, 산화막 형성 전의 실리콘 웨이퍼의 표면, 및/또는 표면층의 상태에 따라 산화 조건을 조정할 수 있으며, 이에 따라, 예를 들면, 극박의 산화막인 경우에도 정밀도 좋게 형성할 수 있는 산화막 형성방법이 제공된다.</p> |
