半导体装置之制造方法，半导体装置及电子设备

主权项

一种半导体装置，其包括：一半导体基板；一布线层，其系形成在该半导体基板之一表面侧上，该布线层系由包含具有不同标准电极电位之至少一第一金属及一第二金属之一合金形成；及一层氮化物层，其系形成在该布线层之一表面之形成区域，至少该形成区域系由包含氮之一气体与一惰性气体之一混合气体产生之电浆或藉由包含氮之一气体产生之电浆所辐照，其中于该形成区域中，该布线层之该表面被分成包括复数个第一区域及复数个第二区域之二维区域，且该氮化物层包括于该等第一区域中与该布线层之该表面接触之一第一类型之氮化物及于该等第二区域中与该布线层之该表面接触之一第二类型之氮化物。