| 发明名称 |
用于射频或功率应用的电子装置及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI503951 |
申请公布日期 |
2015.10.11 |
| 申请号 |
TW100141594 |
申请日期 |
2011.11.15 |
| 申请人 |
苏泰克公司 |
发明人 |
兰德路 迪迪尔;卡皮洛 露西安娜;迪斯伯纳兹 艾立克;菲古特 克里斯多夫;寇农洽克 欧雷格 |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L23/373;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种用于射频或功率应用之电子装置，其包括在一支承基片上支承电子构件之一半导体层，其特征在于包含在该支承基片与支承该等构件之该半导体层之间的一结合层，该结合层系由具有小于50nm厚度的一个氧化矽层、一个氮化铝、氧化铝(alumina)或高电阻率多晶矽之层体组成，且其特征亦在于该支承基片包括具有至少30W/m K热传导性之一基层以及具有至少5μm厚度之一表层，该表层具有至少3000Ohm.cm之电阻率以及至少30W/m K之热传导性。
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| 地址 |
法国 |
