一种可实现减少开关管损耗的电路及驱动时序的方法

摘要

本发明公开了一种可实现减少开关管损耗的电路及驱动时序的方法，本发明的有益效果是：整个的开关过程中，MOSFET承担了整个开关损耗，而IGBT则是在零电压下开通的，在导通期间，MOSFET管和IGBT都有电流流过，但IGBT会流过较大比例的电流，充分发挥了二者的优势，规避掉了它们各自的缺点，使损耗达到最优。

主权项

一种可实现减少开关管损耗的电路及驱动时序的方法，其特征在于：减少开关管损耗的电路包括以下部分；一，至少两个并联的开关管；其中至少有一个开关管为MOSFET，至少有一个是IGBT；MOSFET管的D级同IGBT的C级相连，MOSFET管的S级同IGBT的E级相连；二，用于实现MOSFET管和IGBT管正确时序的驱动电路；MOSFET管和IGBT管正确驱动时序的方法包括以下部分；一，上升沿延时环节A和下降沿延时环节B，上升沿延时环节A有电阻R，电容C和二极管D组成，其中二极管D同电阻R并联，二极管D的阴极与输入信号相连，二极管的阳极同输出级相连接。电容C正极同二极管正极相连，负极为信号地；二，下降沿延时环节B有电阻R，电容C和二极管D组成，其中二极管D同电阻R并联，二极管D的阳极与输入信号相连，二极管的阴极极同输出级相连接。电容C正极同二极管正极相连，负极为信号地；环节A与环节B的前后还各有两级电路，它们的前级起驱动左右；后级起比较器作用，确定环节A或环节B的输出信号达到某个电压点时刻判为高电平。