一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、有源层、P型层，发光二极管上设有从P型层延伸至N型层的凹槽，P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、图形化折射层，图形化折射层、透明导电层和电流阻挡层内对应设有连通的凹孔，凹孔延伸至P型层，凹孔内设有P电极，凹槽内的N型层上设有N电极，图形化折射层和凹槽内的N型层上还生长有钝化层，图形化折射层的折射率介于透明导电层和钝化层之间。本发明通过在透明导电层和钝化层之间设置折射率介于两者之间的图形化折射层，有利于光的出射，提高了发光二极管的光提取率和亮度。

主权项

一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层、P型层，所述发光二极管上设有从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽，其特征在于，所述P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、图形化折射层，所述图形化折射层、所述透明导电层和所述电流阻挡层内对应设有连通的凹孔，所述凹孔延伸至所述P型层，所述凹孔内设有P电极，所述凹槽内的所述N型层上设有N电极，所述图形化折射层和所述凹槽内的所述N型层上还生长有钝化层，所述图形化折射层的折射率介于所述透明导电层和所述钝化层之间。